分光干渉式ウェーハ厚み計
SF-3

ウェーハ等の研削研磨プロセスにおいて、非接触でウェーハや樹脂の厚みを超高速・高精度に測定を行います。
測定項目
  • 厚み測定(5層)
用途
  • 各種ウェーハ(Silicon・その他化合物ウェーハ)厚み測定
  • 各種 研削・研磨・貼り合わせなどへのプロセスへの組み込み
  • ウェーハ以外の厚膜部材厚み測定
特長
  • 光学式により非接触・非破壊での厚み測定が可能
  • 高い測定再現性を実現
  • 高速でリアルタイムに研磨モニタが可能
  • 長いWD(ワークディスタンス)を実現し、
    機器への組み込みが容易
  • ホスト機器からLANを使用したTCP/IP通信で制御
  • 多層厚み測定が可能
  • テンポラリーウェーハ(仮貼り合わせウェーハ)の各層厚み測定が可能

分光干渉式ウェーハ厚み計 SF-3とは

ウェーハ等の研削研磨プロセスにおいて、非接触でウェーハや樹脂の厚みを超高速・高精度に測定を行います。

測定項目

厚み測定

(5層)

用途

  • 各種ウェーハ(Silicon、その他化合物ウェーハ)厚み測定
  • 各種 研削・研磨・貼り合わせなどへのプロセスへの組み込み
  • ウェーハ以外の厚膜部材厚み測定

特長

  • 光学式により非接触・非破壊での厚み測定が可能
  • 高い測定再現性を実現
  • 高速でリアルタイムに研磨モニタが可能
  • 長いWD(ワークディスタンス)を実現し、
    機器への組み込みが容易
  • ホスト機器からLANを使用したTCP/IP通信で制御
  • 多層厚み測定が可能
  • テンポラリーウェーハ(仮貼り合わせウェーハ)の各層厚み測定が可能
分光干渉式ウェーハ厚み計 SF-3 特長

動画 -測定から結果まで-

  •  

装置構成

マッピング

半導体プロセスへの
組み込み例

テンポラリーボンディング

分光干渉式ウェーハ厚み計 SF-3 半導体プロセスへの組み込み例 テンポラリーボンディング

バックグラインド

分光干渉式ウェーハ厚み計 SF-3 半導体プロセスへの組み込み例 バックグラインド

ウェットエッチング

分光干渉式ウェーハ厚み計 SF-3 半導体プロセスへの組み込み例 ウェットエッチング

CMPプロセス

分光干渉式ウェーハ厚み計 SF-3 半導体プロセスへの組み込み例 CMPプロセス

仕様

型式 SF-3/200 SF-3/300 SF-3/800 SF-3/1300
サイズ 123(W)×224(D)×128(H)mm
シリコン測定厚み範囲 6~400 μm 10~775 μm 20~1000 μm 50~1300 μm
樹脂厚み範囲 10~1000 μm 20~1500 μm 40~2000 μm 100~2600 μm
最小サンプリング周期 5 kHz(200 μ sec)
繰り返し精度 0.01%以下(※1)
測定スポット径 φ20 μm以上(※2)
測定距離 50、80、120、150、200 mm
光源 半導体光源(レーザークラス3B製品)
解析方法 FFT解析
インターフェイス LAN、I/O入手知力端子
電源 DC24 V仕様(AC電源ユニット別売り)
オプション 各種距離測定プローブ、電源ユニット(AC用)、アルミリファレンス、
測定光検出ターゲット、ファイバークリーナー

※1 : 当初基準サンプルAirGap約1000 μm測定時の相対標準偏差(n = 20)

※2 : WD80 mmプローブ仕様時の設計値

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